STU6N65M2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STU6N65M2
Маркировка: 6N65M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 12.8 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
Тип корпуса: IPAK
STU6N65M2 Datasheet (PDF)
stf6n65m2 stp6n65m2 stu6n65m2.pdf
STF6N65M2, STP6N65M2, STU6N65M2N-channel 650 V, 1.2 typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max IDSTF6N65M23 3STP6N65M2 650 V 1.35 4 A2211STU6N65M2TO-220FP TO-220TAB Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile32 1
stf6n65k3 stfi6n65k3 stu6n65k3.pdf
STF6N65K3, STFI6N65K3, STU6N65K3N-channel 650 V, 1.1 typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAKDatasheet production dataFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max. ID PtotSTF6N65K3TAB30 WSTFI6N65K3 650 V
stfi6n65k3 stu6n65k3.pdf
STF6N65K3, STFI6N65K3, STU6N65K3N-channel 650 V, 1.1 typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAKDatasheet production dataFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max. ID PtotSTF6N65K3TAB30 WSTFI6N65K3 650 V
stf6n60m2 stp6n60m2 stu6n60m2.pdf
STF6N60M2, STP6N60M2, STU6N60M2N-channel 600 V, 1.06 typ., 4.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) 32 Order codes ID1TJmax maxIPAK3STF6N60M221STP6N60M2 650 V 1.2 4.5 ATO-220FP TABSTU6N60M2 Extremely low gate charge3 Lower RDS(on) x area vs previous
stf6n62k3 stfi6n62k3 sti6n62k3 stp6n62k3 stu6n62k3.pdf
STF6N62K3, STFI6N62K3, STI6N62K3,STP6N62K3, STU6N62K3N-channel 620 V, 0.95 typ., 5.5 A SuperMESH3 PowerMOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220, IPAK packagesDatasheet - production dataFeatures TABOrder codes VDSS RDS(on) max. ID PTOT33STF6N62K3 30 W2 211STFI6N62K3 30 WTO-220FPIPAKSTI6N62K3 620 V
stu6n60dm2.pdf
STU6N60DM2DatasheetN-channel 600 V, 0.95 typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in an IPAK packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTTAB Order codeSTU6N60DM2 600 V 1.10 5 A 60 W32 Fast-recovery body diode1 Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistanceIPAK 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggednessD(2, TAB) Zen
std6n62k3 stf6n62k3 stp6n62k3 stu6n62k3.pdf
STD6N62K3 - STF6N62K3STP6N62K3 - STU6N62K3N-channel 620 V, 1.1 , 5.5 A, IPAK, DPAK, TO-220,TO-220FPSuperMESH3 Power MOSFETFeatures3RDS(on) 3Type VDSS ID Pw2 1max1DPAKSTD6N62K3 620 V
sti6n62k3 stp6n62k3 stu6n62k3 stf6n62k3 std6n62k3.pdf
STD6N62K3, STF6N62K3STI6N62K3, STP6N62K3, STU6N62K3N-channel 620 V, 0.95 , 5.5 A SuperMESH3 Power MOSFETin IPAK, DPAK, TO-220,TO-220FP, IPAKFeaturesRDS(on) 3Order codes VDSS ID Pw2max.1321IPAKSTD6N62K3 90 WIPAKSTF6N62K3 30 W3STI6N62K3 620 V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918