Справочник MOSFET. IXFK32N60

 

IXFK32N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFK32N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 325 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXFK32N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK32N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  ixys
 ixfk32n60 ixfn32n60 ixfk36n60 ixfn36n60.pdf pdf_icon

IXFK32N60

IXFK 32N60 IXFN 32N60IXFK 36N60 IXFN 36N60Preliminary DataVDSS ID25 RDS(on) trrIXFK/FN 36N60 600V 36A 0.18 250nsHiPerFETTM Power MOSFETIXFK/FN 32N60 600V 32A 0.25 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AA (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 600 600 VGVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1

 7.1. Size:161K  ixys
 ixfk32n80p ixfx32n80p.pdf pdf_icon

IXFK32N60

IXFK 32N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 32N80P ID25 = 32 APower MOSFET RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 VVGSS Contin

 7.2. Size:573K  ixys
 ixfk32n50q ixfx32n50q.pdf pdf_icon

IXFK32N60

VDSS ID25 RDS(on)IXFK 32N50QHiPerFETTMIXFX 32N50Q500 V 32 A 0.16 Power MOSFETs 500 V 32 A 0.16 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

 7.3. Size:124K  ixys
 ixfk32n90p ixfx32n90p.pdf pdf_icon

IXFK32N60

Advance Technical InformationPolarTM HiPerFETTM VDSS = 900VIXFK32N90PPower MOSFETsID25 = 32AIXFX32N90PRDS(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFK180N07 , IXFK180N085 , IXFK180N10 , IXFK20N80Q , IXFK26N60Q , IXFK26N90 , IXFK27N80 , IXFK32N50Q , IRF1010E , IXFK33N50 , IXFK34N80 , IXFK35N50 , IXFK36N60 , IXFK44N50 , IXFK44N60 , IXFK48N50 , IXFK48N50Q .

History: IRFZ40

 

 
Back to Top

 


 
.