IXFK32N60 - описание и поиск аналогов

 

IXFK32N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFK32N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для IXFK32N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK32N60 даташит

 ..1. Size:192K  ixys
ixfk32n60 ixfn32n60 ixfk36n60 ixfn36n60.pdfpdf_icon

IXFK32N60

IXFK 32N60 IXFN 32N60 IXFK 36N60 IXFN 36N60 Preliminary Data VDSS ID25 RDS(on) trr IXFK/FN 36N60 600V 36A 0.18 250ns HiPerFETTM Power MOSFET IXFK/FN 32N60 600V 32A 0.25 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 600 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1

 7.1. Size:161K  ixys
ixfk32n80p ixfx32n80p.pdfpdf_icon

IXFK32N60

IXFK 32N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET IXFX 32N80P ID25 = 32 A Power MOSFET RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V VGSS Contin

 7.2. Size:573K  ixys
ixfk32n50q ixfx32n50q.pdfpdf_icon

IXFK32N60

VDSS ID25 RDS(on) IXFK 32N50Q HiPerFETTM IXFX 32N50Q 500 V 32 A 0.16 Power MOSFETs 500 V 32 A 0.16 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M

 7.3. Size:124K  ixys
ixfk32n90p ixfx32n90p.pdfpdf_icon

IXFK32N60

Advance Technical Information PolarTM HiPerFETTM VDSS = 900V IXFK32N90P Power MOSFETs ID25 = 32A IXFX32N90P RDS(on)

Другие MOSFET... IXFK180N07 , IXFK180N085 , IXFK180N10 , IXFK20N80Q , IXFK26N60Q , IXFK26N90 , IXFK27N80 , IXFK32N50Q , IRF9540N , IXFK33N50 , IXFK34N80 , IXFK35N50 , IXFK36N60 , IXFK44N50 , IXFK44N60 , IXFK48N50 , IXFK48N50Q .

History: IXFH15N100 | IRFB33N15DPBF | IRFB23N20DPBF | IXFH14N80 | FDB12N50TM | IXFK26N90 | IRFB23N15DPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.