IRFS3307PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS3307PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IRFS3307PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS3307PBF даташит

 ..1. Size:314K  international rectifier
 irfs3307pbf.pdf pdf_icon

IRFS3307PBF

PD - 95706D IRFB3307PbF IRFS3307PbF IRFSL3307PbF HEXFET Power MOSFET Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS D VDSS 75V l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching RDS(on) typ. 5.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits G max. 6.3m ID 120A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterize

 6.1. Size:316K  international rectifier
 irfb3307zpbf irfs3307zpbf irfs3307ztrlpbf irfsl3307zpbf.pdf pdf_icon

IRFS3307PBF

PD - 97214D IRFB3307ZPbF IRFS3307ZPbF Applications IRFSL3307ZPbF l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS HEXFET Power MOSFET l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching D VDSS 75V l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 4.6m max. 5.8m G ID (Silicon Limited) 128A Benefits ID (Package Limited) 120A S l Improved Gate, Av

 6.2. Size:316K  international rectifier
 irfb3307zpbf irfs3307zpbf irfsl3307zpbf.pdf pdf_icon

IRFS3307PBF

PD - 97214D IRFB3307ZPbF IRFS3307ZPbF Applications IRFSL3307ZPbF l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS HEXFET Power MOSFET l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching D VDSS 75V l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 4.6m max. 5.8m G ID (Silicon Limited) 128A Benefits ID (Package Limited) 120A S l Improved Gate, Av

 6.3. Size:707K  infineon
 auirfs3307z auirfsl3307z.pdf pdf_icon

IRFS3307PBF

AUIRFS3307Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3307Z HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 4.6m Ultra Low On-Resistance max. 5.8m 175 C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 128A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 120A Lead-Free, RoHS Compliant

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS3006PBF, IRFS3107-7PPBF, IRFS3107PBF, IRFS31N20DPBF, IRFS3206PBF, IRFS3207PBF, IRFS3207ZPBF, IRFS3306PBF, K4145, IRFS3307ZPBF, IRFS33N15DPBF, IRFS3507PBF, IRFS3607PBF, IRFS3806PBF, IRFS38N20DPBF, IRFS4010-7PPBF, IRFS4010PBF