IRFS33N15DPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFS33N15DPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IRFS33N15DPBF
IRFS33N15DPBF Datasheet (PDF)
irfb33n15dpbf irfs33n15dpbf irfsl33n15dpbf.pdf

PD- 95537IRFB33N15DPbF IRFS33N15DPbFSMPS MOSFET IRFSL33N15DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters150V 0.056 33Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanc
irfb33n15dpbf irfs33n15dpbf.pdf

PD- 95537IRFB33N15DPbF IRFS33N15DPbFSMPS MOSFET IRFSL33N15DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters150V 0.056 33Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanc
irfs33n15d.pdf

PD- 93903IRFB33N15D IRFS33N15DSMPS MOSFET IRFSL33N15DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters150V 0.056 33ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentT
irfb33n15d irfs33n15d irfsl33n15d.pdf

PD- 93903IRFB33N15D IRFS33N15DSMPS MOSFET IRFSL33N15DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters150V 0.056 33ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentT
Другие MOSFET... IRFS3107PBF , IRFS31N20DPBF , IRFS3206PBF , IRFS3207PBF , IRFS3207ZPBF , IRFS3306PBF , IRFS3307PBF , IRFS3307ZPBF , RFP50N06 , IRFS3507PBF , IRFS3607PBF , IRFS3806PBF , IRFS38N20DPBF , IRFS4010-7PPBF , IRFS4010PBF , IRFS4020PBF , IRFS4115-7PPBF .
History: CEDF634 | IPL60R060CFD7 | IRFP254 | NVTFS6H850NL | IRF2807L | SIHLI540G | B50N06
History: CEDF634 | IPL60R060CFD7 | IRFP254 | NVTFS6H850NL | IRF2807L | SIHLI540G | B50N06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTN330N06A | JMTN2310A | JMTN11DN10A | JMTM8810KS | JMTM850P04A | JMTM8205B | JMTM8205A | JMTM3415KL | JMTM3406D | JMTM330N06A | JMTM300N03D | JMTM300C02D | JMTM2310A | JMTM170N04A | JMTLB3134K | JMTLB2N7002KDS
Popular searches
bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor