Справочник MOSFET. IRFS33N15DPBF

 

IRFS33N15DPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS33N15DPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IRFS33N15DPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS33N15DPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  international rectifier
 irfb33n15dpbf irfs33n15dpbf irfsl33n15dpbf.pdf pdf_icon

IRFS33N15DPBF

PD- 95537IRFB33N15DPbF IRFS33N15DPbFSMPS MOSFET IRFSL33N15DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters150V 0.056 33Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanc

 ..2. Size:279K  international rectifier
 irfb33n15dpbf irfs33n15dpbf.pdf pdf_icon

IRFS33N15DPBF

PD- 95537IRFB33N15DPbF IRFS33N15DPbFSMPS MOSFET IRFSL33N15DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters150V 0.056 33Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanc

 4.1. Size:139K  international rectifier
 irfs33n15d.pdf pdf_icon

IRFS33N15DPBF

PD- 93903IRFB33N15D IRFS33N15DSMPS MOSFET IRFSL33N15DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters150V 0.056 33ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentT

 4.2. Size:142K  international rectifier
 irfb33n15d irfs33n15d irfsl33n15d.pdf pdf_icon

IRFS33N15DPBF

PD- 93903IRFB33N15D IRFS33N15DSMPS MOSFET IRFSL33N15DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters150V 0.056 33ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS3107PBF , IRFS31N20DPBF , IRFS3206PBF , IRFS3207PBF , IRFS3207ZPBF , IRFS3306PBF , IRFS3307PBF , IRFS3307ZPBF , RFP50N06 , IRFS3507PBF , IRFS3607PBF , IRFS3806PBF , IRFS38N20DPBF , IRFS4010-7PPBF , IRFS4010PBF , IRFS4020PBF , IRFS4115-7PPBF .

History: 2SJ646 | HIRFZ24NF

 

 
Back to Top

 


 
.