IRFS4310ZPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFS4310ZPBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFS4310ZPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS4310ZPBF даташит

 ..1. Size:324K  international rectifier
 irfb4310zpbf irfs4310zpbf irfsl4310zpbf.pdf pdf_icon

IRFS4310ZPBF

PD - 97115D IRFB4310ZPbF IRFS4310ZPbF IRFSL4310ZPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 100V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 4.8m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 6.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 127A c ID (Package Limited) 120A S Benefits l Improved Gate,

 5.1. Size:672K  infineon
 auirfs4310z.pdf pdf_icon

IRFS4310ZPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS4310Z HEXFET Power MOSFET Features VDSS 100V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 4.8m Ultra Low On-Resistance max. Dynamic dv/dt Rating 6.0m 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 127A Fast Switching ID (Package Limited) 120A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS

 5.2. Size:258K  inchange semiconductor
 irfs4310z.pdf pdf_icon

IRFS4310ZPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS4310Z FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol

 6.1. Size:376K  international rectifier
 irfb4310pbf irfs4310pbf irfsl4310pbf.pdf pdf_icon

IRFS4310ZPBF

PD - 14275D IRFB4310PbF IRFS4310PbF IRFSL4310PbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 100V l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 5.6m G max. 7.0m ID 130A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS4115-7PPBF, IRFS4115PBF, IRFS4127PBF, IRFS41N15DPBF, IRFS4227PBF, IRFS4228PBF, IRFS4229PBF, IRFS4310PBF, IRFP250, IRFS4321-7PPBF, IRFS4321PBF, STB100N10F7, STB100NF03L-03-1, STB100NF03L-03T4, STB100NF04T4, STB100NH02LT4, STB10N60M2