IXFK36N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFK36N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 325 nC
trⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO264
IXFK36N60 Datasheet (PDF)
ixfk32n60 ixfn32n60 ixfk36n60 ixfn36n60.pdf
IXFK 32N60 IXFN 32N60IXFK 36N60 IXFN 36N60Preliminary DataVDSS ID25 RDS(on) trrIXFK/FN 36N60 600V 36A 0.18 250nsHiPerFETTM Power MOSFETIXFK/FN 32N60 600V 32A 0.25 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AA (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 600 600 VGVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1
ixfh36n60p ixft36n60p ixfk36n60p.pdf
IXFH 36N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFK 36N60P ID25 = 36 APower MOSFET IXFT 36N60P RDS(on) 190 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V
ixfk33n50 ixfk35n50.pdf
VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK33N50 500 V 33 A 0.16 WPower MOSFETsIXFK35N50 500 V 35 A 0.15 WN-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrPreliminary dataTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 500 VGVGS Continuous 20 V D (TAB)DSVGSM Transient 30 VID
ixfk32n80p ixfx32n80p.pdf
IXFK 32N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 32N80P ID25 = 32 APower MOSFET RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 VVGSS Contin
ixfk30n50q ixfx30n50q.pdf
VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK/IXFX 30N50Q500 V 30 A 0.16 Power MOSFETs IXFK/IXFX 32N50Q500 V 32 A 0.15 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS
ixfk32n50q ixfx32n50q.pdf
VDSS ID25 RDS(on)IXFK 32N50QHiPerFETTMIXFX 32N50Q500 V 32 A 0.16 Power MOSFETs 500 V 32 A 0.16 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M
ixfk32n90p ixfx32n90p.pdf
Advance Technical InformationPolarTM HiPerFETTM VDSS = 900VIXFK32N90PPower MOSFETsID25 = 32AIXFX32N90PRDS(on)
ixfk34n80 ixfx34n80.pdf
HiPerFETTM IXFK 34N80 VDSS = 800 VIXFX 34N80 ID25 = 34 APower MOSFETsRDS(on) = 0.24 WSingle MOSFET Dietrr 250 nsAvalanche RatedPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 V (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C34 ATO-264 AA (I
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD