STB10NK60Z-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB10NK60Z-1
Маркировка: B10NK60Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 156 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
Тип корпуса: I2PAK
Аналог (замена) для STB10NK60Z-1
STB10NK60Z-1 Datasheet (PDF)
stb10nk60z-1 stb10nk60zt4 stp10nk60zfp.pdf
STB10NK60Z, STP10NK60Z,STP10NK60ZFP, STW10NK60ZN-channel 600 V, 0.65 typ., 10 A SuperMESH Power MOSFETin I2PAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABRDS(on) Type VDSS ID PwmaxTAB33 2STB10NK60Z-1 600 V
stb10nk60z stp10nk60z stp10nk60zfp stw10nk60z.pdf
STB10NK60Z, STP10NK60Z,STP10NK60ZFP, STW10NK60ZN-channel 600 V, 0.65 typ., 10 A SuperMESH Power MOSFETin I2PAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABRDS(on) Type VDSS ID PwmaxTAB33 2STB10NK60Z-1 600 V
stb10nk60z stp10nk60z stw10nk60z.pdf
STB10NK60Z, STP10NK60ZSTW10NK60ZN-channel 650 V, 0.65 , 10 A, SuperMESH Power MOSFETZener-protected I2PAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247FeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax3STB10NK60Z-1 600 V
stb10n60m2 std10n60m2 stp10n60m2 stu10n60m2.pdf
STB10N60M2, STD10N60M2, STP10N60M2, STU10N60M2N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in DPAK, DPAK, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABRDS(on) 3 Order codes VDS @ TJmax max ID131DPAKSTB10N60M2D 2 PAKSTD10N60M2650 V 0.600 7.5 ASTP10N60M2TABTABSTU10N60M23 Extremely low gate ch
stb10n95k5 stf10n95k5 stp10n95k5 stw10n95k5.pdf
STB10N95K5, STF10N95K5, STP10N95K5, STW10N95K5N-channel 950 V, 0.65 typ., 8 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFETs in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247Datasheet - production dataTAB Features3Order codes VDS RDS(on) max ID PTOT123D PAK STB10N95K5 130 W21STF10N95K5 30 WTO-220FP950 V 0.8 8 ASTP10N95K5TAB130 WSTW10N95K5 Worldwide best FOM
stb10n65k3 stfi10n65k3 stp10n65k3.pdf
STB10N65K3, STF10N65K3, STFI10N65K3, STP10N65K3N-channel 650 V, 0.75 typ., 10 A SuperMESH3 Power MOSFETs in D2PAK, TO-220FP, I2PAKFP and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max ID PTOT313 STB10N65K3 150 W2D2PAK 1STF10N65K3TO-220FP650 V 1 10 A 35 WSTFI10N65K3TABSTP10N65K3 150 W 100% avalanche tested3
stb10na40.pdf
STB10NA40N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on ) DSTB10NA40 400 V
stb10n65k3 stf10n65k3 stfi10n65k3 stp10n65k3.pdf
STB10N65K3, STF10N65K3, STFI10N65K3, STP10N65K3N-channel 650 V, 0.75 typ., 10 A SuperMESH3 Power MOSFETs in D2PAK, TO-220FP, I2PAKFP and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max ID PTOT313 STB10N65K3 150 W2D2PAK 1STF10N65K3TO-220FP650 V 1 10 A 35 WSTFI10N65K3TABSTP10N65K3 150 W 100% avalanche tested3
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918