STB11NM60FD-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB11NM60FD-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STB11NM60FD-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB11NM60FD-1 даташит

 ..1. Size:486K  st
stb11nm60fd-1 stb11nm60fdt4 stp11nm60fdfp.pdfpdf_icon

STB11NM60FD-1

STB11NM60FD - STB11NM60FD-1 STP11NM60FD - STP11NM60FDFP N-channel 600V - 0.40 - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK FDmesh Power MOSFET (with fast diode) General features Type VDSS RDS(on) ID 3 2 3 STB11NM60FD 600V

 ..2. Size:493K  st
stb11nm60fd stb11nm60fd-1 stp11nm60fd stp11nm60fdfp.pdfpdf_icon

STB11NM60FD-1

STB11NM60FD - STB11NM60FD-1 STP11NM60FD - STP11NM60FDFP N-channel 600V - 0.40 - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK FDmesh Power MOSFET (with fast diode) General features Type VDSS RDS(on) ID 3 2 3 STB11NM60FD 600V

 3.1. Size:203K  inchange semiconductor
stb11nm60fd.pdfpdf_icon

STB11NM60FD-1

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STB11NM60FD FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALU

 5.1. Size:624K  st
stb11nm60t4 stp11nm60.pdfpdf_icon

STB11NM60FD-1

STB11NM60T4, STP11NM60 Datasheet N-channel 600 V, 0.4 typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in D PAK and TO-220 packages Features VDSS TAB RDS(on) max. ID TAB Order codes Package (@ TJmax) STB11NM60T4 D PAK 3 650 V 0.45 11 A 1 3 2 STP11NM60 TO-220 D PAK TO-220 2 1 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance D(2

Другие IGBT... STB10N65K3, STB10N95K5, STB10NK60Z-1, STB10NK60ZT4, STB11N65M5, STB11NK40ZT4, STB11NK50ZT4, STB11NM60-1, 75N75, STB11NM60FDT4, STB11NM60N-1, STB11NM60T4, STB11NM80T4, STB120N10F4, STB120NF10T4, STB120NH03L, STB12NK80ZT4