Справочник MOSFET. STB11NM60FDT4

 

STB11NM60FDT4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB11NM60FDT4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB11NM60FDT4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB11NM60FDT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  st
stb11nm60fd-1 stb11nm60fdt4 stp11nm60fdfp.pdfpdf_icon

STB11NM60FDT4

STB11NM60FD - STB11NM60FD-1STP11NM60FD - STP11NM60FDFPN-channel 600V - 0.40 - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKFDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID32 3STB11NM60FD 600V

 3.1. Size:493K  st
stb11nm60fd stb11nm60fd-1 stp11nm60fd stp11nm60fdfp.pdfpdf_icon

STB11NM60FDT4

STB11NM60FD - STB11NM60FD-1STP11NM60FD - STP11NM60FDFPN-channel 600V - 0.40 - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKFDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID32 3STB11NM60FD 600V

 3.2. Size:203K  inchange semiconductor
stb11nm60fd.pdfpdf_icon

STB11NM60FDT4

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STB11NM60FDFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU

 5.1. Size:624K  st
stb11nm60t4 stp11nm60.pdfpdf_icon

STB11NM60FDT4

STB11NM60T4, STP11NM60DatasheetN-channel 600 V, 0.4 typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in DPAK and TO-220 packagesFeaturesVDSSTABRDS(on) max. IDTAB Order codes Package(@ TJmax)STB11NM60T4 DPAK3650 V 0.45 11 A132 STP11NM60 TO-220D PAK TO-220 21 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistanceD(2

Другие MOSFET... STB10N95K5 , STB10NK60Z-1 , STB10NK60ZT4 , STB11N65M5 , STB11NK40ZT4 , STB11NK50ZT4 , STB11NM60-1 , STB11NM60FD-1 , RU6888R , STB11NM60N-1 , STB11NM60T4 , STB11NM80T4 , STB120N10F4 , STB120NF10T4 , STB120NH03L , STB12NK80ZT4 , STB12NM50-1 .

History: P3606HK | CTD06N017 | STP4NK60Z | AO6801E | HGN155N15S | HM18N40F

 

 
Back to Top

 


 
.