STB11NM80T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB11NM80T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB11NM80T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB11NM80T4 даташит

 ..1. Size:904K  st
stb11nm80t4 sti11nm80.pdfpdf_icon

STB11NM80T4

STB11NM80, STF11NM80 STI11NM80, STP11NM80, STW11NM80 N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFET in D PAK, TO-220FP, I PAK, TO-220, TO-247 Features RDS(on) Order codes VDSS RDS(on)*Qg ID max 3 3 1 2 STB11NM80 1 D PAK TO-220FP STF11NM80 STI11NM80 800 V

 5.1. Size:943K  st
stb11nm80 stf11nm80 stw11nm80 stp11nm80.pdfpdf_icon

STB11NM80T4

STB11NM80, STF11NM80 STP11NM80, STW11NM80 N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Features RDS(on) Type VDSS RDS(on)*Qg ID max 3 1 3 STB11NM80 2 D PAK 1 STF11NM80 TO-247 800 V

 5.2. Size:904K  st
stb11nm80 stf11nm80 sti11nm80 stp11nm80 stw11nm80.pdfpdf_icon

STB11NM80T4

STB11NM80, STF11NM80 STI11NM80, STP11NM80, STW11NM80 N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFET in D PAK, TO-220FP, I PAK, TO-220, TO-247 Features RDS(on) Order codes VDSS RDS(on)*Qg ID max 3 3 1 2 STB11NM80 1 D PAK TO-220FP STF11NM80 STI11NM80 800 V

 7.1. Size:624K  st
stb11nm60t4 stp11nm60.pdfpdf_icon

STB11NM80T4

STB11NM60T4, STP11NM60 Datasheet N-channel 600 V, 0.4 typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in D PAK and TO-220 packages Features VDSS TAB RDS(on) max. ID TAB Order codes Package (@ TJmax) STB11NM60T4 D PAK 3 650 V 0.45 11 A 1 3 2 STP11NM60 TO-220 D PAK TO-220 2 1 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance D(2

Другие IGBT... STB11N65M5, STB11NK40ZT4, STB11NK50ZT4, STB11NM60-1, STB11NM60FD-1, STB11NM60FDT4, STB11NM60N-1, STB11NM60T4, IRF1405, STB120N10F4, STB120NF10T4, STB120NH03L, STB12NK80ZT4, STB12NM50-1, STB12NM50FDT4, STB12NM50T4, STB12NM60N