STB12NM60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STB12NM60N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.41 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STB12NM60N
STB12NM60N Datasheet (PDF)
stb12nm60n-1 stb12nm60n stf12nm60n stp12nm60n stw12nm60n.pdf

STB12NM60N/-1 - STF12NM60NSTP12NM60N - STW12NM60NN-channel 600V - 0.35 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247Second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID3(@Tjmax)31 21STB12NM60N 650V
stb12nm60n-1 stf12nm60n stp12nm60n stw12nm60n.pdf

STB12NM60N/-1 - STF12NM60NSTP12NM60N - STW12NM60NN-channel 600V - 0.35 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247Second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID3(@Tjmax)31 21STB12NM60N 650V
stb12nm50fdt4 stp12nm50fd stw14nm50fd.pdf

STB12NM50FD - STB12NM50FD-1STP12NM50FD/FP - STW14NM50FDN-channel 500V - 0.32 - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID Pw33STB12NM50FD 500V
stb12nm50n std12nm50n sti12nm50n stf12nm50n stp12nm50n.pdf

STB12NM50N,STD12NM50N,STI12NM50NSTF12NM50N, STP12NM50NN-channel 500 V, 0.29 , 11 A MDmesh II Power MOSFETTO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FPFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max332211STB12NM50N 550 V 0.38 11 AIPAKTO-220STD12NM50N 550 V 0.38 11 A31STI12NM50N 550 V 0.38 11 ADPAKSTF12NM50N 550 V 0.38 11 A (1)STP12NM50N 5
Другие MOSFET... STB11NM80T4 , STB120N10F4 , STB120NF10T4 , STB120NH03L , STB12NK80ZT4 , STB12NM50-1 , STB12NM50FDT4 , STB12NM50T4 , EMB04N03H , STB12NM60N-1 , STB130NS04ZB-1 , STB130NS04ZBT4 , STB13N60M2 , STB13N80K5 , STB13NM50N , STB13NM50N-1 , STB140NF55-1 .
History: STP50NE08 | APT5010B2LL | BLM4953 | NDP608AE | HY3408 | FDD45AN06LA0 | IPA80R600P7
History: STP50NE08 | APT5010B2LL | BLM4953 | NDP608AE | HY3408 | FDD45AN06LA0 | IPA80R600P7



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509