STB141NF55-1 - аналоги, параметры транзистора

STB141NF55-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB141NF55-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STB141NF55-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

STB141NF55-1 даташит

..1. Size:362K st
stb141nf55 stb141nf55-1 stp141nf55.pdf pdf_icon

STB141NF55 - STB141NF55-1 STP141NF55 N-channel 55V - 0.0065 - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID (1) STB141NF55 55V

..2. Size:354K st
stb141nf55-1.pdf pdf_icon

STB141NF55 - STB141NF55-1 STP141NF55 N-channel 55V - 0.0065 - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID (1) STB141NF55 55V

9.1. Size:1281K st
stb14nm50n std14nm50n stp14nm50n stf14nm50n.pdf pdf_icon

STB14NM50N, STD14NM50N STF14NM50N, STP14NM50N N-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FP Features VDSS @ RDS(on) Type ID 3 TJmax max 1 3 STB14NM50N 2 DPAK 1 STD14NM50N 550 V

9.2. Size:618K st
stb14nk50z-1 stb14nk50zt4 stp14nk50zfp.pdf pdf_icon

STP14NK50Z - STP14NK50ZFP STB14NK50Z-STB14NK50Z-1-STW14NK50Z N-channel 500V - 0.34 - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 STP14NK50Z 500V