STB16NF06LT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB16NF06LT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB16NF06LT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB16NF06LT4 даташит

 ..1. Size:399K  st
 stb16nf06lt4.pdf pdf_icon

STB16NF06LT4

STB16NF06L N-channel 60V - 0.07 - 16A - D2PAK STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB16NF06L 60V

 4.1. Size:408K  st
 stb16nf06l.pdf pdf_icon

STB16NF06LT4

STB16NF06L N-channel 60V - 0.07 - 16A - D2PAK STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB16NF06L 60V

 8.1. Size:294K  st
 stb16nk65z-s stp16nk65z.pdf pdf_icon

STB16NF06LT4

STP16NK65Z STB16NK65Z-S N-CHANNEL 650V - 0.38 - 13A TO-220 / I2SPAK Zener - Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP16NK65Z 650 V

 8.2. Size:577K  st
 stb16nm50n stf16nm50n sti16nm50n stp16nm50n stw16nm50n.pdf pdf_icon

STB16NF06LT4

STB16NM50N - STF/I16NM50N STP16NM50N - STW16NM50N N-channel 500 V - 0.21 - 15 A MDmesh II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FP Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 3 1 2 1 STB16NM50N 550 V 0.26 15 A D PAK I PAK STI16NM50N 550 V 0.26 15 A 3 STF16NM50N 550 V 0.26 15 A (1) 2 1 STP16NM50N 550 V 0.26 15 A TO-247 STW16NM50N 550

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB14NK60Z-1, STB14NK60ZT4, STB14NM65N, STB150NF55T4, STB15N80K5, STB15NK50ZT4, STB15NM60N, STB160NF3LLT4, IRLZ44N, STB16NK65Z-S, STB16NM50N, STB16NS25T4, STB16PF06LT4, STB18N60M2, STB18N65M5, STB18NF30, STB18NM60ND