Справочник MOSFET. IXFK52N30Q

 

IXFK52N30Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFK52N30Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1010 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK52N30Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  ixys
 ixfh52n30q ixfk52n30q ixft52n30q.pdf pdf_icon

IXFK52N30Q

IXFH 52N30QHiPerFETTMVDSS = 300 VIXFK 52N30QPower MOSFETs ID25 = 52 AIXFT 52N30QQ-Class RDS(on) = 60 mWtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrLow Gate Charge and CapacitancesPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 300 VVGS Continuo

 8.1. Size:178K  ixys
 ixfk520n075t2 ixfx520n075t2.pdf pdf_icon

IXFK52N30Q

Advance Technical InformationTrenchT2TM GigaMOSTMVDSS = 75VIXFK520N075T2HiperFETTMID25 = 520AIXFX520N075T2 Power MOSFET RDS(on) 2.2m N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated TO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C75 V TabDSVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 75 VV

 9.1. Size:577K  ixys
 ixfk55n50 ixfx55n50 ixfn55n50.pdf pdf_icon

IXFK52N30Q

VDSS = 500 VIXFK 55N50HiPerFETTMID25 = 55 AIXFX 55N50Power MOSFETRDS(on) = 90mIXFN 55N50 250 nstrr Single Die MOSFETSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS247(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C 500 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V(TAB)GCID25 TC = 25C55 AEIDM TC = 2

 9.2. Size:121K  ixys
 ixfk50n50 ixfn50n50 ixfk55n50 ixfn55n50.pdf pdf_icon

IXFK52N30Q

VDSS ID25 RDS(on) trrHiPerFETTMPower MOSFET IXFN 55N50 500V 55A 80m 250nsIXFN 50N50 500V 50A 100m 250nsIXFK 55N50 500V 55A 80m 250nsSingle Die MOSFETIXFK 50N50 500V 50A 100m 250nsPreliminary data sheetTO-264 AA (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXFNIXFK IXFK IXFN55N50 50N50 55N50 50N50VDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C to 150C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFK34N80 , IXFK35N50 , IXFK36N60 , IXFK44N50 , IXFK44N60 , IXFK48N50 , IXFK48N50Q , IXFK50N50 , AON7506 , IXFK55N50 , IXFK60N25Q , IXFK72N20 , IXFK73N30 , IXFK80N20 , IXFK80N20Q , IXFK90N20 , IXFK90N20Q .

History: OSG60R360DSF | NTB5605P | RF1S4N100SM | NDS9936 | 2SJ590LS | 2SK3716 | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.