STB23NM60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB23NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB23NM60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB23NM60N даташит

 ..1. Size:560K  st
 stb23nm60n stf23nm60n sti23nm60n stp23nm60n stw23nm60n.pdf pdf_icon

STB23NM60N

STB23NM60N-STF23NM60N STI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60N N-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 3 1 2 1 STB23NM60N 19 A D PAK I PAK STI23NM60N 19 A 3 STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1) 2 1 STP23NM60N 19 A TO-247 STW23NM60N 19 A 3 3 2 2 1 1 1. Limited

 ..2. Size:558K  st
 stb23nm60n stf23nm60n sti23nm60n stp23nm60n stw23nm60n.pdf pdf_icon

STB23NM60N

STB23NM60N-STF23NM60N STI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60N N-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 3 1 2 1 STB23NM60N 19 A D PAK I PAK STI23NM60N 19 A 3 STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1) 2 1 STP23NM60N 19 A TO-247 STW23NM60N 19 A 3 3 2 2 1 1 1. Limited

 0.1. Size:814K  st
 stb23nm60nd sti23nm60nd stf23nm60nd stp23nm60nd stw23nm60nd.pdf pdf_icon

STB23NM60N

STx23NM60ND N-channel 600 V, 0.150 , 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) D PAK, I PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID 3 max. 3 (@Tjmax) 1 2 1 STx23NM60ND 650 V

 0.2. Size:203K  inchange semiconductor
 stb23nm60nd.pdf pdf_icon

STB23NM60N

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STB23NM60ND FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALU

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB20NM60-1, STB20NM60T4, STB21N90K5, STB21NM50N, STB21NM50N-1, STB21NM60N, STB21NM60N-1, STB22NS25ZT4, 5N65, STB24N60DM2, STB24N60M2, STB24N65M2, STB25N80K5, STB25NM50N-1, STB25NM60N, STB25NM60N-1, STB26NM60ND