Справочник MOSFET. STB23NM60N

 

STB23NM60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB23NM60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB23NM60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB23NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:560K  st
stb23nm60n stf23nm60n sti23nm60n stp23nm60n stw23nm60n.pdfpdf_icon

STB23NM60N

STB23NM60N-STF23NM60NSTI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60NN-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FPTO-247, second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB23NM60N 19 ADPAKIPAKSTI23NM60N 19 A3STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1)21STP23NM60N 19 ATO-247STW23NM60N 19 A3 32 21 11. Limited

 ..2. Size:558K  st
stb23nm60n stf23nm60n sti23nm60n stp23nm60n stw23nm60n.pdfpdf_icon

STB23NM60N

STB23NM60N-STF23NM60NSTI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60NN-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FPTO-247, second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB23NM60N 19 ADPAKIPAKSTI23NM60N 19 A3STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1)21STP23NM60N 19 ATO-247STW23NM60N 19 A3 32 21 11. Limited

 0.1. Size:814K  st
stb23nm60nd sti23nm60nd stf23nm60nd stp23nm60nd stw23nm60nd.pdfpdf_icon

STB23NM60N

STx23NM60NDN-channel 600 V, 0.150 , 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET(with fast diode) DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID3max.3(@Tjmax)1 21STx23NM60ND 650 V

 0.2. Size:203K  inchange semiconductor
stb23nm60nd.pdfpdf_icon

STB23NM60N

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STB23NM60NDFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU

Другие MOSFET... STB20NM60-1 , STB20NM60T4 , STB21N90K5 , STB21NM50N , STB21NM50N-1 , STB21NM60N , STB21NM60N-1 , STB22NS25ZT4 , 4435 , STB24N60DM2 , STB24N60M2 , STB24N65M2 , STB25N80K5 , STB25NM50N-1 , STB25NM60N , STB25NM60N-1 , STB26NM60ND .

History: WNM2023 | NTZD3155CT1G

 

 
Back to Top

 


 
.