Справочник MOSFET. STB28N65M2

 

STB28N65M2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STB28N65M2
   Маркировка: 28N65M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для STB28N65M2

 

 

STB28N65M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1235K  st
 stb28n65m2 stf28n65m2 stp28n65m2 stw28n65m2.pdf

STB28N65M2 STB28N65M2

STB28N65M2, STF28N65M2,STP28N65M2, STW28N65M2N-channel 650 V, 0.15 typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFETsin DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max IDSTB28N65M233STF28N65M212650 V 0.18 20 A1STP28N65M2D2PAKTO-220FPSTW28N65M2TAB Extremely low gate charge Excellent output

 7.1. Size:1114K  st
 stb28n60m2 sti28n60m2 stp28n60m2 stw28n60m2.pdf

STB28N65M2 STB28N65M2

STB28N60M2, STI28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2 N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, IPAK, TO-220 and TO-247 Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax DS(on) DSTB28N60M2 STI28N60M2 650 V 0.150 22 A STP28N60M2 STW28N60M2 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile

 7.2. Size:1184K  st
 stb28n60m2 stp28n60m2 stw28n60m2.pdf

STB28N65M2 STB28N65M2

STB28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataTAB FeaturesTABVDS @ RDS(on) Order code ID3TJmax max1321STB28N60M2D2PAKTO-220STP28N60M2 650 V 0.150 22 ASTW28N60M2 Extremely low gate charge3 Excellent output capacitance (Coss) prof

 7.3. Size:914K  st
 stb28n60dm2 stp28n60dm2 stw28n60dm2.pdf

STB28N65M2 STB28N65M2

STB28N60DM2, STP28N60DM2, STW28N60DM2 N-channel 600 V, 0.13 typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features V @ R DS DS(on)Order code I P D TOTT max. Jmax.STB28N60DM2 STP28N60DM2 600 V 0.16 21 A 170 W STW28N60DM2 Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacita

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top