Справочник MOSFET. STB30NF20L

 

STB30NF20L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB30NF20L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 297 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB30NF20L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB30NF20L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:847K  st
stb30nf20l.pdfpdf_icon

STB30NF20L

STB30NF20LN-channel 200 V, 0.065 , 30 A STripFET Power MOSFET in D2PAK packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) ID PTOTSTB30NF20L 200 V 0.075 30 A 150 WTAB Gate charge minimized 100% avalanche tested3 Excellent figure of merit (RDS* Qg)1 Very good manufacturing repeatabilityDPAK Very low intrinsic capacitanceApp

 5.1. Size:386K  st
stp30nf20 stb30nf20 stw30nf20.pdfpdf_icon

STB30NF20L

STP30NF20 - STB30NF20STW30NF20N-channel 200V - 0.065 - 30A - TO-220/TO-247/D2PAKLow gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PTOTSTP30NF20 200V 0.075 30A 125WSTW30NF20 200V 0.075 30A 125W3322STB30NF20 200V 0.075 30A 125W11TO-2473 Gate charge minimized TO-2201 100% avalanche testedDPAK Excellent figure of me

 5.2. Size:393K  st
stp30nf20 stw30nf20 stb30nf20.pdfpdf_icon

STB30NF20L

STP30NF20 - STB30NF20STW30NF20N-channel 200V - 0.065 - 30A - TO-220/TO-247/D2PAKLow gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PTOTSTP30NF20 200V 0.075 30A 125WSTW30NF20 200V 0.075 30A 125W3322STB30NF20 200V 0.075 30A 125W11TO-2473 Gate charge minimized TO-2201 100% avalanche testedDPAK Excellent figure of me

 5.3. Size:355K  inchange semiconductor
stb30nf20.pdfpdf_icon

STB30NF20L

isc N-Channel MOSFET Transistor STB30NF20FEATURESDrain Current : I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 75m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen

Другие MOSFET... STB25NM60N-1 , STB26NM60ND , STB27NM60ND , STB28N60M2 , STB28N65M2 , STB28NM60ND , STB2N62K3 , STB30NF10T4 , P0903BDG , STB30NM60N , STB31N65M5 , STB32NM50N , STB33N60M2 , STB33N65M2 , STB34N65M5 , STB34NM60N , STB35NF10T4 .

History: WML12N100C2 | SMF4N60 | RD01MUS2 | DH019N04I | SIR638DP | SRT15N075HS2 | TK8S06K3L

 

 
Back to Top

 


 
.