Справочник MOSFET. STB34NM60N

 

STB34NM60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB34NM60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 173 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STB34NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1227K  st
stb34nm60n.pdfpdf_icon

STB34NM60N

STB34NM60N, STF34NM60N,STP34NM60N, STW34NM60NN-channel 600 V, 0.092 , 29 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on) Order codes VDS ID PTOT2max.3132STB34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 W1DPAKTO-220FPSTF34NM60N 600 V 0.105 29 A 40 WSTP34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 WTABS

 ..2. Size:1363K  st
stb34nm60n stp34nm60n.pdfpdf_icon

STB34NM60N

STB34NM60N, STP34NM60NN-channel 600 V, 0.092 , 31.5 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDSS RDS(on) ID PTOTTABSTB34NM60NTAB600 V 0.105 31.5 A 250 WSTP34NM60N2 100% avalanche tested3312 Low input capacitance and gate charge12D PAK Low gate input resistanceTO-220Ap

 0.1. Size:1236K  st
stw34nm60nd stb34nm60nd stf34nm60nd stp34nm60nd.pdfpdf_icon

STB34NM60N

STB34NM60ND, STF34NM60ND, STP34NM60ND, STW34NM60NDN-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247Datasheet production dataFeatures TABOrder codes VDS @TJ max. RDS(on) max. ID31STB34NM60ND321D2PAKSTF34NM60NDTO-220FP650 V 0.110 29 A STP34NM60NDTABSTW34NM60ND The worlds bes

 8.1. Size:1424K  st
stb34n65m5 sti34n65m5 stp34n65m5 stw34n65m5.pdfpdf_icon

STB34NM60N

STB34N65M5, STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures TABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID231321STB34N65M5D2PAKI2PAKSTI34N65M5710 V 0.11 28 ATABSTP34N65M5STW34N65M5 Worldwide best RDS(on) * area332

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AP6P025I | SIHG47N60S | KI5447DC | HGI110N08AL | SSF2810EH2 | 2SK2027-01 | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.