IXFK73N30. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IXFK73N30
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для IXFK73N30
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IXFK73N30 даташит
ixfk73n30 ixfn73n30.pdf
VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK 73 N 30 300 V 73 A 45 m Power MOSFETs IXFN 73 N 30 300 V 73 A 45 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXFK IXFN
ixfk72n20 ixfk80n20.pdf
VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK72N20 200 V 72 A 35 mW Power MOSFETs IXFK80N20 200 V 80 A 30 mW trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 200 V G VGS Continuous 20 V (TAB) D S VGSM Transient 30 V ID25
ixfx74n50p2 ixfk74n50p2.pdf
Advance Technical Information PolarP2TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFK74N50P2 Power MOSFET ID25 = 74A IXFX74N50P2 RDS(on) 77m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-264 (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS
ixfk78n50p3 ixfx78n50p3.pdf
Preliminary Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFK78N50P3 Power MOSFETs ID25 = 78A IXFX78N50P3 RDS(on) 68m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V Tab VDGR TJ = 25 C
Другие MOSFET... IXFK44N60 , IXFK48N50 , IXFK48N50Q , IXFK50N50 , IXFK52N30Q , IXFK55N50 , IXFK60N25Q , IXFK72N20 , IRF1010E , IXFK80N20 , IXFK80N20Q , IXFK90N20 , IXFK90N20Q , IXFK90N30 , IXFM10N100 , IXFM10N90 , IXFM11N80 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet




