Справочник MOSFET. STB38N65M5

 

STB38N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB38N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB38N65M5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB38N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1582K  st
 stb38n65m5 stf38n65m5 stp38n65m5 stw38n65m5.pdf pdf_icon

STB38N65M5

STB38N65M5, STF38N65M5, STP38N65M5, STW38N65M5N-channel 650 V, 0.073 , 30 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTAB2 VDSS @ RDS(on) 3 Order code ID1 TJmax max32D2PAKSTB38N65M51TO-220FP STF38N65M5

 ..2. Size:1667K  st
 stb38n65m5 stp38n65m5 stw38n65m5.pdf pdf_icon

STB38N65M5

STB38N65M5, STP38N65M5, STW38N65M5N-channel 650 V, 0.073 typ., 30 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) 2Order codes ID3TJmax max1STB38N65M5D2PAKSTP38N65M5 710 V 0.095 30 ATABSTW38N65M5 Higher VDSS rating and high dv/dt capability33 Excellent switching performance

Другие MOSFET... STB32NM50N , STB33N60M2 , STB33N65M2 , STB34N65M5 , STB34NM60N , STB35NF10T4 , STB36NF06LT4 , STB36NM60ND , IRF2807 , STB3NK60ZT4 , STB40N20 , STB40N60M2 , STB40NF10LT4 , STB40NF10T4 , STB40NS15T4 , STB45N65M5 , STB45NF06T4 .

 

 
Back to Top

 


 
.