STB38N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB38N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB38N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB38N65M5 даташит

 ..1. Size:1582K  st
 stb38n65m5 stf38n65m5 stp38n65m5 stw38n65m5.pdf pdf_icon

STB38N65M5

STB38N65M5, STF38N65M5, STP38N65M5, STW38N65M5 N-channel 650 V, 0.073 , 30 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB 2 VDSS @ RDS(on) 3 Order code ID 1 TJmax max 3 2 D2PAK STB38N65M5 1 TO-220FP STF38N65M5

 ..2. Size:1667K  st
 stb38n65m5 stp38n65m5 stw38n65m5.pdf pdf_icon

STB38N65M5

STB38N65M5, STP38N65M5, STW38N65M5 N-channel 650 V, 0.073 typ., 30 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDS @ RDS(on) 2 Order codes ID 3 TJmax max 1 STB38N65M5 D2PAK STP38N65M5 710 V 0.095 30 A TAB STW38N65M5 Higher VDSS rating and high dv/dt capability 3 3 Excellent switching performance

Другие IGBT... STB32NM50N, STB33N60M2, STB33N65M2, STB34N65M5, STB34NM60N, STB35NF10T4, STB36NF06LT4, STB36NM60ND, STF13NM60N, STB3NK60ZT4, STB40N20, STB40N60M2, STB40NF10LT4, STB40NF10T4, STB40NS15T4, STB45N65M5, STB45NF06T4