IXFK80N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXFK80N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 280 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для IXFK80N20
IXFK80N20 Datasheet (PDF)
ixfk72n20 ixfk80n20.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK72N20 200 V 72 A 35 mWPower MOSFETsIXFK80N20 200 V 80 A 30 mWtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 AAVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 VGVGS Continuous 20 V(TAB)DSVGSM Transient 30 VID25
ixfh80n20q ixfk80n20q ixft80n20q.pdf

IXFH 80N20QHiPerFETTMVDSS = 200 VIXFK 80N20QPower MOSFETs ID25 = 80 AIXFT 80N20QQ-Class RDS(on) = 28 mWtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transi
ixfk80n50p ixfx80n50p.pdf

IXFK 80N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 80N50P ID25 = 80 APower MOSFET RDS(on) 65 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSM Transient
ixfh80n65x2 ixfk80n65x2.pdf

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFH80N65X2Power MOSFET ID25 = 80AIXFK80N65X2 RDS(on) 38m TO-247 (IXFH)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeGDSD (Tab)TO-264P (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous
Другие MOSFET... IXFK48N50 , IXFK48N50Q , IXFK50N50 , IXFK52N30Q , IXFK55N50 , IXFK60N25Q , IXFK72N20 , IXFK73N30 , AON7506 , IXFK80N20Q , IXFK90N20 , IXFK90N20Q , IXFK90N30 , IXFM10N100 , IXFM10N90 , IXFM11N80 , IXFM12N100 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1008PK | JMSH1008PGQ | JMSH1008PG | JMSH1008PE | JMSH1008PC | JMSH1008AKQ | JMSH1008AGQ | JMSH1008AG | JMSH1008AE | JMSH1008AC | JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG
Popular searches
k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont