STB4NK60ZT4 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

STB4NK60ZT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB4NK60ZT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB4NK60ZT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

STB4NK60ZT4 даташит

..1. Size:726K st
stb4nk60z-1 stb4nk60zt4 std4nk60z-1 std4nk60zt4.pdf pdf_icon

STB4NK60Z-1, STB4NK60ZT4 STD4NK60Z-1, STD4NK60ZT4 Datasheet N-channel 600 V, 1.7 typ., 4 A SuperMESH Power MOSFETs in I2PAK, D2PAK, IPAK and DPAK packages Features TAB TAB Order codes VDS RDS(on) max. PTOT ID 3 1 3 2 2 STB4NK60Z-1 2 1 D PAK I PAK STB4NK60ZT4 600 V 2 70 W 4 A TAB TAB STD4NK60Z-1 3 2 3 1 2 STD4NK60ZT4 1 DPAK IPAK Extremely high dv/dt

..2. Size:965K st
stb4nk60zt4 std4nk60zt4.pdf pdf_icon

STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STD4NK60Z STD4NK60Z-1, STP4NK60Z,STP4NK60ZFP N-channel 600 V, 1.76 , 4 A SuperMESH Power MOSFET in DPAK, D2PAK, IPAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP Features RDS(on) Type VDSS PW ID 3 3 2 max 3 1 1 2 1 STB4NK60Z 600 V

5.1. Size:577K st
stb4nk60zx std4nk60zx stp4nk60z stp4nk60zfp.pdf pdf_icon

STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STD4NK60Z STD4NK60Z-1, STP4NK60Z,STP4NK60ZFP N-channel 600 V - 1.76 - 4 A SuperMESH Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP Features RDS(on) Type VDSS PW ID 3 3 2 max 3 1 1 2 1 STB4NK60Z 600 V

9.1. Size:244K st
stb4nc50.pdf pdf_icon