Справочник MOSFET. STB55NF06LT4

 

STB55NF06LT4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STB55NF06LT4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для STB55NF06LT4

 

 

STB55NF06LT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  st
 stb55nf06l-1 stb55nf06lt4 stb55nf06l stb55nf06l-1 stp55nf06l.pdf

STB55NF06LT4 STB55NF06LT4

STP55NF06LSTB55NF06L - STB55NF06L-1N-channel 60V - 0.014 - 55A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP55NF06L 60V

 4.1. Size:332K  st
 stp55nf06l stb55nf06l stb55nf06l-1.pdf

STB55NF06LT4 STB55NF06LT4

STP55NF06LSTB55NF06L - STB55NF06L-1N-channel 60V - 0.014 - 55A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP55NF06L 60V

 4.2. Size:867K  cn vbsemi
 stb55nf06l.pdf

STB55NF06LT4 STB55NF06LT4

STB55NF06Lwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 60600.013 at VGS = 4.5 V 50DD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitVGSGate-Sour

 5.1. Size:485K  st
 stb55nf06.pdf

STB55NF06LT4 STB55NF06LT4

STB55NF06 STB55NF06-1STP55NF06 STP55NF06FPN-CHANNEL 60V - 0.015 - 50A TO-220/TO-220FP/IPAK/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDTO-220FPSTP55NF06 60 V

 5.2. Size:541K  st
 stb55nf06 stb55nf06-1 stp55nf06 stp55nf06fp.pdf

STB55NF06LT4 STB55NF06LT4

STB55NF06 - STB55NF06-1STP55NF06 - STP55NF06FPN-channel 60V - 0.015 - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB55NF06 60V

 5.3. Size:793K  st
 stb55nf06t4 stp55nf06fp.pdf

STB55NF06LT4 STB55NF06LT4

STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FPN-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET inDPAK, TO-220 and TO-220FP packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB55NF06350 A3 1STP55NF06 60 V

 5.4. Size:793K  st
 stb55nf06 stp55nf06 stp55nf06fp.pdf

STB55NF06LT4 STB55NF06LT4

STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FPN-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET inDPAK, TO-220 and TO-220FP packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB55NF06350 A3 1STP55NF06 60 V

 5.5. Size:203K  inchange semiconductor
 stb55nf06.pdf

STB55NF06LT4 STB55NF06LT4

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STB55NF06FEATURESWith To-263(D2PAK) packageExcellent switching performance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current,high switch speedMotor control,audio amplifiersDC-DC&DC-AC convertersAutomotiveABSOLUTE MAXIMU

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top