STB70N10F4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB70N10F4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB70N10F4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB70N10F4 даташит

 ..1. Size:968K  st
stb70n10f4.pdfpdf_icon

STB70N10F4

STB70N10F4, STD70N10F4 STP70N10F4, STW70N10F4 N-channel 100 V, 0.015 , 60 A, STripFET DeepGATE Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAK Features Type VDSS RDS(on) max ID STB70N10F4 100 V

 ..2. Size:971K  st
stb70n10f4 std70n10f4 stp70n10f4 stw70n10f4.pdfpdf_icon

STB70N10F4

STB70N10F4, STD70N10F4 STP70N10F4, STW70N10F4 N-channel 100 V, 0.015 , 60 A, STripFET DeepGATE Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAK Features Type VDSS RDS(on) max ID STB70N10F4 100 V

 8.1. Size:293K  st
stb70nfs03lt4.pdfpdf_icon

STB70N10F4

STB70NFS03L N-channel - 30V - 0.0075 - 70A D2PAK STripFET Power MOSFET plus schottky rectifier General features Type VDSS RDS(on) ID STB70NFS03L 30V

 8.2. Size:466K  st
stb70nf03l stp70nf03l stb70nf03l-1.pdfpdf_icon

STB70N10F4

STB70NF03L STP70NF03L - STB70NF03L-1 N-channel 30V - 0.0075 - 70A - D2PAK - I2PAK - TO-220 Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB70NF03L 30V

Другие IGBT... STB60NH02LT4, STB6N60M2, STB6N62K3, STB6N65M2, STB6N80K5, STB6NK60ZT4, STB6NK90ZT4, STB6NM60N, IRF540, STB70NF03LT4, STB70NF3LLT4, STB70NFS03LT4, STB70NH03LT4, STB75N20, STB75NF75LT4, STB75NF75T4, STB75NH02LT4