STB80NF55-06-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB80NF55-06-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 155 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1020 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STB80NF55-06-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB80NF55-06-1 даташит

 ..1. Size:447K  st
 stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdf pdf_icon

STB80NF55-06-1

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

 ..2. Size:437K  st
 stb80nf55-06-1 stb80nf55-06t4 stp80nf55-06fp.pdf pdf_icon

STB80NF55-06-1

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

 2.1. Size:680K  st
 stb80nf55-06t.pdf pdf_icon

STB80NF55-06-1

STB80NF55-06T N-channel 55 V, 5 m , 80 A STripFET II Power MOSFET in a D PAK package Features Order code VDSS RDS(on) max. ID STB80NF55-06T 55 V

 2.2. Size:482K  st
 stb80nf55-06.pdf pdf_icon

STB80NF55-06-1

STB80NF55-06 STP80NF55-06 STP80NF55-06FP N-CHANNEL 55V - 0.005 - 80A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB75NH02LT4, STB76NF80, STB7ANM60N, STB7NK80ZT4, STB80NE03L-06T4, STB80NF03L-04-1, STB80NF06, STB80NF10T4, 2N7000, STB80NF55-06T, STB80NF55-06T4, STB80NF55-08-1, STB80NF55L-08, STB80PF55T4, STB85NF3LLT4, STB85NF55L, STB85NF55LT4