STB85NF55LT4. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STB85NF55LT4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STB85NF55LT4
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STB85NF55LT4 даташит
stb85nf55lt4.pdf
STB85NF55, STI85NF55 STP85NF55 N-channel 55 V, 0.0062 , 80 A, TO-220, D2PAK, I2PAK STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB85NF55 55 V
stb85nf55l.pdf
STB85NF55L STP85NF55L N-channel 55 V, 0.0060 , 80 A, TO-220, D2PAK STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB85NF55L 55 V
stb85nf55l stp85nf55l.pdf
STB85NF55L STP85NF55L N-channel 55 V, 0.0060 , 80 A, TO-220, D2PAK STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB85NF55L 55 V
stb85nf55 sti85nf55 stp85nf55.pdf
STB85NF55, STI85NF55 STP85NF55 N-channel 55 V, 0.0062 , 80 A, TO-220, D2PAK, I2PAK STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB85NF55 55 V
Другие IGBT... STB80NF55-06-1, STB80NF55-06T, STB80NF55-06T4, STB80NF55-08-1, STB80NF55L-08, STB80PF55T4, STB85NF3LLT4, STB85NF55L, 2SK3878, STB85NF55T4, STB85NS04Z, STB8NM60N, STB8NM60T4, STB95N4F3, STB9NK50Z-1, STB9NK50ZT4, STB9NK60Z-1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet






