STB8NM60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB8NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB8NM60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB8NM60N даташит

 ..1. Size:698K  st
 stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STB8NM60N

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

 ..2. Size:698K  st
 stf8nm60n std8nm60n stb8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STB8NM60N

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

 ..3. Size:700K  st
 stp8nm60n stf8nm60n std8nm60n stb8nm60n.pdf pdf_icon

STB8NM60N

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

 6.1. Size:554K  st
 stb8nm60t4 std5nm60-1 std5nm60t4 stp8nm60fp.pdf pdf_icon

STB8NM60N

STD5NM60 STB8NM60 - STP8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 1 STD5NM60 650 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB80NF55-08-1, STB80NF55L-08, STB80PF55T4, STB85NF3LLT4, STB85NF55L, STB85NF55LT4, STB85NF55T4, STB85NS04Z, IRF9540N, STB8NM60T4, STB95N4F3, STB9NK50Z-1, STB9NK50ZT4, STB9NK60Z-1, STB9NK60ZDT4, STB9NK60ZT4, STB9NK70ZT4