IRFS52N15DPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFS52N15DPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 51 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
Время нарастания (tr): 47 ns
Выходная емкость (Cd): 590 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IRFS52N15DPBF
IRFS52N15DPBF Datasheet (PDF)
irfb52n15dpbf irfs52n15dpbf.pdf
PD - 97002AIRFB52N15DPbFIRFS52N15DPbFIRFSL52N15DPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High frequency DC-DC convertersKey Parametersl Plasma Display PanelVDS 150 VVDS (Avalanche) min. 200 VBenefitsRDS(ON) max @ 10V 32 ml Low Gate-to-Drain Charge toTJ maxReduce\ Switching Losses 175 Cl Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to SimplifyDesign
irfb52n15dpbf irfs52n15dpbf irfsl52n15dpbf.pdf
PD - 97002AIRFB52N15DPbFIRFS52N15DPbFIRFSL52N15DPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High frequency DC-DC convertersKey Parametersl Plasma Display PanelVDS 150 VVDS (Avalanche) min. 200 VBenefitsRDS(ON) max @ 10V 32 ml Low Gate-to-Drain Charge toTJ maxReduce\ Switching Losses 175 Cl Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to SimplifyDesign
irfs52n15d.pdf
PD - 94357IRFB52N15D IRFS52N15DSMPS MOSFET IRFSL52N15DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters150V 0.032 60ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltageand Current
irfs52n15d.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS52N15D, IIRFS52N15DFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)32mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency DC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta
irfs520a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 7.2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.155 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximu
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: BUK964R8-60E
