IRFS52N15DPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFS52N15DPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
trⓘ - Время нарастания: 47 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IRFS52N15DPBF
IRFS52N15DPBF Datasheet (PDF)
irfb52n15dpbf irfs52n15dpbf.pdf
PD - 97002AIRFB52N15DPbFIRFS52N15DPbFIRFSL52N15DPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High frequency DC-DC convertersKey Parametersl Plasma Display PanelVDS 150 VVDS (Avalanche) min. 200 VBenefitsRDS(ON) max @ 10V 32 ml Low Gate-to-Drain Charge toTJ maxReduce\ Switching Losses 175 Cl Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to SimplifyDesign
irfb52n15dpbf irfs52n15dpbf irfsl52n15dpbf.pdf
PD - 97002AIRFB52N15DPbFIRFS52N15DPbFIRFSL52N15DPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High frequency DC-DC convertersKey Parametersl Plasma Display PanelVDS 150 VVDS (Avalanche) min. 200 VBenefitsRDS(ON) max @ 10V 32 ml Low Gate-to-Drain Charge toTJ maxReduce\ Switching Losses 175 Cl Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to SimplifyDesign
irfs52n15d.pdf
PD - 94357IRFB52N15D IRFS52N15DSMPS MOSFET IRFSL52N15DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters150V 0.032 60ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltageand Current
irfs52n15d.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS52N15D, IIRFS52N15DFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)32mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency DC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta
irfs520a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 7.2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.155 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximu
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918