IRFSL3206PBF - описание и поиск аналогов

 

IRFSL3206PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFSL3206PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для IRFSL3206PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFSL3206PBF даташит

 ..1. Size:323K  international rectifier
irfb3206pbf irfs3206pbf irfsl3206pbf.pdfpdf_icon

IRFSL3206PBF

IRFB3206PbF IRFS3206PbF IRFSL3206PbF HEXFET Power MOSFET Applications l High Efficiency Synchronous Rectification D VDSS 60V in SMPS RDS(on) typ. 2.4m l Uninterruptible Power Supply max. 3.0m l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 210A ID (Package Limited) 120A Benefits S l Improved Gate, Avalanche and Dynamic D

 5.1. Size:716K  infineon
auirfs3206 auirfsl3206.pdfpdf_icon

IRFSL3206PBF

AUIRFS3206 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3206 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.4m Ultra Low On-Resistance max. 3.0m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 210A Fast Switching ID (Package Limited) 120A Repetitive Avalanche Allowed up to Tj

 6.1. Size:379K  international rectifier
irfsl3207.pdfpdf_icon

IRFSL3206PBF

PD - 96893C IRFB3207 IRFS3207 IRFSL3207 Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 75V l High Speed Power Switching 3.6m RDS(on) typ. l Hard Switched and High Frequency Circuits G Benefits max. 4.5m l Worldwide Best RDS(on) in TO-220 S ID 180A l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedn

 6.2. Size:379K  international rectifier
irfb3207 irfs3207 irfsl3207.pdfpdf_icon

IRFSL3206PBF

PD - 96893C IRFB3207 IRFS3207 IRFSL3207 Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 75V l High Speed Power Switching 3.6m RDS(on) typ. l Hard Switched and High Frequency Circuits G Benefits max. 4.5m l Worldwide Best RDS(on) in TO-220 S ID 180A l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedn

Другие MOSFET... IRFSL17N20D , IRFSL17N20DPBF , IRFSL23N15D , IRFSL23N15DPBF , IRFSL3004PBF , IRFSL3006PBF , IRFSL3107PBF , IRFSL31N20DPBF , AOD4184A , IRFSL3207 , IRFSL3207ZPBF , IRFSL3306PBF , IRFSL3307ZPBF , IRFSL3607PBF , IRFSL3806PBF , IRFSL38N20DPBF , IRFSL4010PBF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.