IRFSL4010PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFSL4010PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 180 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 143 nC
Время нарастания (tr): 86 ns
Выходная емкость (Cd): 660 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0047 Ohm
Тип корпуса: TO-262
Аналог (замена) для IRFSL4010PBF
IRFSL4010PBF Datasheet (PDF)
irfs4010pbf irfsl4010pbf.pdf
PD - 96186AIRFS4010PbFIRFSL4010PbFHEXFET Power MOSFETApplications DVDSS100Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.l Uninterruptible Power Supply 3.9ml High Speed Power SwitchingG max. 4.7ml Hard Switched and High Frequency CircuitsID 180ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtDDRuggednessl Fully Characterized Ca
auirfs4010 auirfsl4010.pdf
AUIRFS4010 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL4010 HEXFET Power MOSFET VDSS 100V Features Advanced Process Technology RDS(on) typ. 3.9m Ultra Low On-Resistance max. 4.7m 175C Operating Temperature Fast Switching ID 180A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant D D Automotive Qualified * Description S S
irfs4020pbf irfsl4020pbf.pdf
PD - 97393IRFS4020PbFDIGITAL AUDIO MOSFETIRFSL4020PbFFeaturesKey Parameters Key parameters optimized for Class-D audioVDS200 V amplifier applicationsmRDS(ON) typ. @ 10V85 Low RDSON for improved efficiencyQg typ.18 nC Low QG and QSW for better THD and improved Qsw typ.6.7 nCRG(int) typ. efficiency 3.2 TJ max175 C Low QRR for better
irfs4020pbf irfsl4020pbf.pdf
PD - 97393IRFS4020PbFDIGITAL AUDIO MOSFETIRFSL4020PbFFeaturesKey Parameters Key parameters optimized for Class-D audioVDS200 V amplifier applicationsmRDS(ON) typ. @ 10V85 Low RDSON for improved efficiencyQg typ.18 nC Low QG and QSW for better THD and improved Qsw typ.6.7 nCRG(int) typ. efficiency 3.2 TJ max175 C Low QRR for better
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
