IRFSL4115PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFSL4115PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 99 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 77 nC
trⓘ - Время нарастания: 73 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0121 Ohm
Тип корпуса: TO-262
Аналог (замена) для IRFSL4115PBF
IRFSL4115PBF Datasheet (PDF)
irfs4115pbf irfsl4115pbf.pdf
PD - 96198AIRFS4115PbFIRFSL4115PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSVDSS150Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.10.3ml High Speed Power Switching max. 12.1ml Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited) 99A BenefitsID (Package Limited)195A Sl Improved Gate, Avalanche and Dynamic
irfs4115pbf irfsl4115pbf.pdf
PD - 96198AIRFS4115PbFIRFSL4115PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSVDSS150Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.10.3ml High Speed Power Switching max. 12.1ml Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited) 99A BenefitsID (Package Limited)195A Sl Improved Gate, Avalanche and Dynamic
auirfsl4115.pdf
AUIRFS4115AUTOMOTIVE GRADEAUIRFSL4115HEXFET Power MOSFETFeaturesDVDSS150Vl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceRDS(on) typ.10.3ml 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingG max. 12.1ml Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-Free, RoHS CompliantID99A l Automotive Qualified * SDDescriptionDSpecifically designed for A
auirfs4115 auirfsl4115.pdf
AUIRFS4115 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL4115 HEXFET Power MOSFET VDSS 150V Features Advanced Process Technology RDS(on) typ. 10.3m Ultra Low On-Resistance max. 12.1m 175C Operating Temperature Fast Switching ID 99A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant D D Automotive Qualified * Description S S
irfsl4115.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFSL4115FEATURESWith TO-262 packagingUninterruptible power supplyHigh speed switchingHard switched and high frequency circuits100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918