IRFSL52N15D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFSL52N15D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO-262
Аналог (замена) для IRFSL52N15D
IRFSL52N15D Datasheet (PDF)
irfsl52n15d.pdf

PD - 94357AIRFB52N15D IRFS52N15DSMPS MOSFET IRFSL52N15DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters150V 0.032 60ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltageand Current
irfb52n15dpbf irfs52n15dpbf irfsl52n15dpbf.pdf

PD - 97002AIRFB52N15DPbFIRFS52N15DPbFIRFSL52N15DPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High frequency DC-DC convertersKey Parametersl Plasma Display PanelVDS 150 VVDS (Avalanche) min. 200 VBenefitsRDS(ON) max @ 10V 32 ml Low Gate-to-Drain Charge toTJ maxReduce\ Switching Losses 175 Cl Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to SimplifyDesign
irfsl52n15d.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFSL52N15DFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)32mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency DC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 150 VDS
irfs5615pbf irfsl5615pbf.pdf

PD - 96204DIGITAL AUDIO MOSFET IRFS5615PbFIRFSL5615PbFFeaturesKey Parameters Key Parameters Optimized for Class-D AudioVDS150 V Amplifier ApplicationsRDS(ON) typ. @ 10V m34.5 Low RDSON for Improved EfficiencyQg typ.26 nC Low QG and QSW for Better THD and Improved Qsw typ.11 nCRG(int) typ. Efficiency 2.7 TJ max175 C Low QRR for Better THD
Другие MOSFET... IRFSL4410PBF , IRFSL4410ZPBF , IRFSL4510PBF , IRFSL4610PBF , IRFSL4615PBF , IRFSL4620PBF , IRFSL4710 , IRFSL4710PBF , IRFB4110 , IRFSL5615PBF , IRFSL5620PBF , IRFSL7430PBF , IRFSL7434PBF , IRFSL7437PBF , IRFSL7440PBF , IRFSL7530PBF , IRFSL7534PBF .
History: 2SK1692 | STF10N80K5 | FTK630P
History: 2SK1692 | STF10N80K5 | FTK630P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor