IRFU214PBF - описание и поиск аналогов

 

IRFU214PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFU214PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для IRFU214PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFU214PBF даташит

 ..1. Size:1415K  international rectifier
irfr214pbf irfu214pbf.pdfpdf_icon

IRFU214PBF

PD- 95384A IRFR214PbF IRFU214PbF Lead-Free 12/3/04 Document Number 91269 www.vishay.com 1 IRFR/U214PbF Document Number 91269 www.vishay.com 2 IRFR/U214PbF Document Number 91269 www.vishay.com 3 IRFR/U214PbF Document Number 91269 www.vishay.com 4 IRFR/U214PbF Document Number 91269 www.vishay.com 5 IRFR/U214PbF Document Number 91269 www.vishay.com 6 IRFR/U214

 ..2. Size:859K  vishay
irfr214pbf irfu214pbf sihfr214 sihfu214.pdfpdf_icon

IRFU214PBF

IRFR214, IRFU214, SiHFR214, SiHFU214 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 250 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 Surface Mount (IRFR214, SiHFR214) Straight Lead (IRFU214, SiHFU214) Qg (Max.) (nC) 8.2 Available in Tape and Reel Qgs (nC) 1.8 Fast Switching Qgd (nC) 4.5 Eas

 7.1. Size:190K  1
irfu214a irfr214a.pdfpdf_icon

IRFU214PBF

 7.2. Size:715K  fairchild semi
irfr214b irfu214b.pdfpdf_icon

IRFU214PBF

November 2001 IRFR214B / IRFU214B 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.2A, 250V, RDS(on) = 2.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 8.1 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF) This advanced technology has been especially tailored t

Другие MOSFET... IRFU12N25D , IRFU12N25DPBF , IRFU13N20DPBF , IRFU15N20DPBF , IRFU1N60A , IRFU1N60APBF , IRFU210PBF , IRFU214B , BS170 , IRFU220NPBF , IRFU220PBF , IRFU224PBF , IRFU2307ZPBF , IRFU2405PBF , IRFU2607ZPBF , IRFU2905ZPBF , IRFU310PBF .

History: 2SK1632 | 2SK2556

 

 

 

 

↑ Back to Top
.