IRFU224PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFU224PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для IRFU224PBF
IRFU224PBF Datasheet (PDF)
irfr224pbf irfu224pbf.pdf
PD- 95237AIRFR224PbFIRFU224PbF Lead-Free12/03/04Document Number: 91271 www.vishay.com1IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com2IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com3IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com4IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com5IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com6IRFR/U22
irfr224pbf irfu224pbf sihfr224 sihfu224.pdf
IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 Surface Mount (IRFR224, SiHFR224)Qg (Max.) (nC) 14 Straight Lead (IRFU224, SiHFU224)Qgs (nC) 2.7Qgd (nC) 7.8 Available in Tape and Reel Configuration Single
irfu224a irfr224a.pdf
irfr224 irfu224 sihfr224 sihfu224.pdf
IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 250 Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 14 Surface Mount (IRFR224, SiHFR224)Qgs (nC) 2.7 Straight Lead (IRFU224, SiHFU224) Available in Tape and Reel
irfu224.pdf
iscN-Channel MOSFET Transistor IRFU224FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) 1.1 @V =10VGSEnhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918