Справочник MOSFET. IXFM42N20

 

IXFM42N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFM42N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO204
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFM42N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  ixys
 ixfh42n20 ixfm42n20 ixfh58n20 ixfm58n20 ixft50n20 ixfh50n20 ixfm50n20 ixft58n20.pdf pdf_icon

IXFM42N20

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMPower MOSFETs 200 V 42 A 60mWIXFH/IXFM42N20200 V 50 A 45mWIXFH/IXFM/IXFT50N20200 V 58 A 40mWIXFH/IXFT58N20N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilyTO-247 AD (IXFH)(TAB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 V TO-268 (D3) Case StyleVG

 9.1. Size:168K  ixys
 ixfh35n30 ixfh40n30 ixfm35n30 ixfm40n30.pdf pdf_icon

IXFM42N20

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 35 N30 300 V 35 A 100 mWPower MOSFETsIXFH 40 N30 300 V 40 A 85 mWIXFM 40 N30 300 V 40 A 88 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 300 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Trans

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTMD6N03R2 | FDMS0309AS | 2SK3117

 

 
Back to Top

 


 
.