IXFM6N100 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFM6N100 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFM6N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO204
 

 Аналог (замена) для IXFM6N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFM6N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  ixys
 ixfh6n90 ixfh6n100 ixfm6n90 ixfm6n100.pdf pdf_icon

IXFM6N100

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 6 N90 900 V 6 A 1.8 WPower MOSFETsIXFH/IXFM 6 N100 1000 V 6 A 2.0 Wtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 6N90 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 6N100 1000 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID2

 9.1. Size:94K  ixys
 ixfh67n10 ixfh75n10 ixfm67n10 ixfm75n10.pdf pdf_icon

IXFM6N100

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 67 N10 100 V 67 A 25 mWPower MOSFETsIXFH/IXFM 75 N10 100 V 75 A 20 mWtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 100 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25

Другие MOSFET... IXFM20N60 , IXFM21N50 , IXFM24N50 , IXFM35N30 , IXFM40N30 , IXFM42N20 , IXFM50N20 , IXFM67N10 , IRF2807 , IXFM6N90 , IXFM75N10 , IXFM7N80 , IXFN100N25 , IXFN106N20 , IXFN110N20 , IXFN120N20 , IXFN130N30 .

History: IXFM67N10 | BUK114-50S | SIHLD110 | IXTH150N17T | IRLZ40 | 2N0609 | STP5N30FI

 

 
Back to Top

 


 
.