STD12NF06-1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STD12NF06-1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: IPAK
Аналог (замена) для STD12NF06-1
STD12NF06-1 Datasheet (PDF)
std12nf06-1.pdf

STD12NF06STD12NF06T4N-channel 60 V, 0.08, 12 A, DPAK, IPAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesVDSSS RDS(on) IDTypeSTD12NF06 60V
std12nf06l.pdf

STD12NF06LSTD12NF06L-1N-channel 60V - 0.08 - 12A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD12NF06L 60V
std12nf06.pdf

STD12NF06N-CHANNEL 60V - 0.08 - 12A IPAK/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD12NF06 60 V
std12nf06l std12nf06l-1.pdf

STD12NF06LSTD12NF06L-1N-channel 60V - 0.08 - 12A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD12NF06L 60V
Другие MOSFET... STD11N50M2 , STD11N65M2 , STD11N65M5 , STD11NM60N , STD11NM60N-1 , STD11NM65N , STD12N50M2 , STD12N65M2 , 2N7000 , STD12NF06L-1 , STD12NF06LT4 , STD12NM50N , STD130N4F6AG , STD13N60M2 , STD13N65M2 , STD13NM60ND , STD150NH02L-1 .
History: 6435 | BSP030 | STB100N6F7 | AP3310GH | SWU12N70D | SE4435 | SWD7N65DA
History: 6435 | BSP030 | STB100N6F7 | AP3310GH | SWU12N70D | SE4435 | SWD7N65DA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor