Справочник MOSFET. STD13N60M2

 

STD13N60M2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STD13N60M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STD13N60M2

 

 

STD13N60M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1515K  st
 stb13n60m2 std13n60m2.pdf

STD13N60M2 STD13N60M2

STB13N60M2, STD13N60M2N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK and DPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTB13N60M2TAB650 V 0.38 11 ASTD13N60M2TAB33 Extremely low gate charge11 Lower RDS(on) x area vs previous generationDPAKD2PAK Low gate input resistance

 6.1. Size:513K  st
 std13n60dm2.pdf

STD13N60M2 STD13N60M2

STD13N60DM2DatasheetN-channel 600 V, 0.310 typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK packageVDS RDS(on) max. IDOrder codesTABSTD13N60DM2 600 V 0.365 11 A Fast-recovery body diode321 Extremely low gate charge and input capacitanceDPAK Low on-resistance 100% avalanche testedD(2, TAB) Extremely high dv/dt ruggedness Zener-protected

 7.1. Size:550K  st
 std13n65m2.pdf

STD13N60M2 STD13N60M2

STD13N65M2N-channel 650 V, 0.37 typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDTABSTD13N65M2 650 V 0.43 10 A Extremely low gate charge32 Excellent output capacitance (Coss) profile 1 100% avalanche tested Zener-protectedDPAKApplications Switching applicationsFigure 1. I

 8.1. Size:1154K  st
 stb13nm60n std13nm60n.pdf

STD13N60M2 STD13N60M2

STB13NM60N, STD13NM60NN-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK and DPAK packagesDatasheet production dataFeatures Order code VDS (@Tjmax) RDS(on) max IDSTB13NM60NTAB650 V 0.36 11 ATABSTD13NM60N3 100% avalanche tested31 1 Low input capacitance and gate chargeDPAKDPAK Low gate input resistanceApplications

 8.2. Size:1276K  st
 stb13nm60n std13nm60n stf13nm60n stp13nm60n stw13nm60n.pdf

STD13N60M2 STD13N60M2

STB13NM60N,STD13NM60N,STF13NM60NSTP13NM60N,STW13NM60NN-channel 600 V, 0.28 , 11 A MDmesh II Power MOSFETin D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max3322STB13NM60N 650 V

 8.3. Size:1546K  st
 std13nm60nd stf13nm60nd stp13nm60nd.pdf

STD13N60M2 STD13N60M2

STD13NM60ND, STF13NM60ND, STP13NM60NDN-channel 600 V, 0.32 typ., 11 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in DPAK, TO-220FP and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID313STD13NM60ND21DPAKSTF13NM60ND 650 V 0.38 11 ATO-220FPSTP13NM60NDTAB The worldwide best RDS(on)* area among fast recove

 8.4. Size:519K  st
 std13n50dm2ag.pdf

STD13N60M2 STD13N60M2

STD13N50DM2AGDatasheetAutomotive-grade N-channel 500 V, 320 m typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK packageFeaturesVDS RDS(on ) max. IDOrder codeTABSTD13N50DM2AG 500 V 360 m 11 A321DPAK AEC-Q101 qualified Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacitanceD(2, TAB) Low on-resistance 100% avalanche tested E

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top