STD13NM60ND datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STD13NM60ND  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 109 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STD13NM60ND

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD13NM60ND даташит

 ..1. Size:1546K  st
 std13nm60nd stf13nm60nd stp13nm60nd.pdf pdf_icon

STD13NM60ND

STD13NM60ND, STF13NM60ND, STP13NM60ND N-channel 600 V, 0.32 typ., 11 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in DPAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID 3 1 3 STD13NM60ND 2 1 DPAK STF13NM60ND 650 V 0.38 11 A TO-220FP STP13NM60ND TAB The worldwide best RDS(on)* area among fast recove

 4.1. Size:1154K  st
 stb13nm60n std13nm60n.pdf pdf_icon

STD13NM60ND

STB13NM60N, STD13NM60N N-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFETs in D PAK and DPAK packages Datasheet production data Features Order code VDS (@Tjmax) RDS(on) max ID STB13NM60N TAB 650 V 0.36 11 A TAB STD13NM60N 3 100% avalanche tested 3 1 1 Low input capacitance and gate charge DPAK D PAK Low gate input resistance Applications

 4.2. Size:1276K  st
 stb13nm60n std13nm60n stf13nm60n stp13nm60n stw13nm60n.pdf pdf_icon

STD13NM60ND

STB13NM60N,STD13NM60N,STF13NM60N STP13NM60N,STW13NM60N N-channel 600 V, 0.28 , 11 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 2 2 STB13NM60N 650 V

 8.1. Size:550K  st
 std13n65m2.pdf pdf_icon

STD13NM60ND

STD13N65M2 N-channel 650 V, 0.37 typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID TAB STD13N65M2 650 V 0.43 10 A Extremely low gate charge 3 2 Excellent output capacitance (Coss) profile 1 100% avalanche tested Zener-protected DPAK Applications Switching applications Figure 1. I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STD12N65M2, STD12NF06-1, STD12NF06L-1, STD12NF06LT4, STD12NM50N, STD130N4F6AG, STD13N60M2, STD13N65M2, IRLB4132, STD150NH02L-1, STD150NH02LT4, STD15N65M5, STD15NF10T4, STD16N50M2, STD16N60M2, STD16N65M2, STD16NF06L-1