STD16NF06LT4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD16NF06LT4
Маркировка: D16NF06L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 18 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7.5 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 69 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD16NF06LT4
STD16NF06LT4 Datasheet (PDF)
std16nf06l-1 std16nf06lt4.pdf
STD16NF06LSTD16NF06L-1N-channel 60V - 0.060 - 24A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD16NF06L-1 60V
std16nf06l-1.pdf
STD16NF06LSTD16NF06L-1N-channel 60V - 0.060 - 24A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD16NF06L-1 60V
std16nf06t4.pdf
STD16NF06N-Channel 60V - 0.060 - 16A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSS RDS(on) IDTypeSTD16NF06 60V
std16nf06.pdf
STD16NF06N-Channel 60V - 0.060 - 16A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSS RDS(on) IDTypeSTD16NF06 60V
std16nf06.pdf
STD16NF06www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise n
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
