STD16NF06T4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD16NF06T4
Маркировка: D16NF06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14.1 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 103 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD16NF06T4
STD16NF06T4 Datasheet (PDF)
std16nf06t4.pdf
STD16NF06N-Channel 60V - 0.060 - 16A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSS RDS(on) IDTypeSTD16NF06 60V
std16nf06l-1.pdf
STD16NF06LSTD16NF06L-1N-channel 60V - 0.060 - 24A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD16NF06L-1 60V
std16nf06.pdf
STD16NF06N-Channel 60V - 0.060 - 16A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSS RDS(on) IDTypeSTD16NF06 60V
std16nf06l-1 std16nf06lt4.pdf
STD16NF06LSTD16NF06L-1N-channel 60V - 0.060 - 24A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD16NF06L-1 60V
std16nf06.pdf
STD16NF06www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise n
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
