Справочник MOSFET. STD20NF06T4

 

STD20NF06T4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STD20NF06T4
   Маркировка: D20NF06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STD20NF06T4

 

 

STD20NF06T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  st
 std20nf06t4.pdf

STD20NF06T4 STD20NF06T4

STD20NF06N-channel 60V - 0.032 - 24A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD20NF06 60V

 5.1. Size:414K  st
 std20nf06lt4 std20nf06l std20nf06l-1.pdf

STD20NF06T4 STD20NF06T4

STD20NF06LSTD20NF06L-1N-channel 60V - 0.032 - 24A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD20NF06L 60V

 5.2. Size:345K  st
 std20nf06.pdf

STD20NF06T4 STD20NF06T4

STD20NF06N-channel 60V - 0.032 - 24A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD20NF06 60V

 5.3. Size:410K  st
 std20nf06l std20nf06l-1.pdf

STD20NF06T4 STD20NF06T4

STD20NF06LSTD20NF06L-1N-channel 60V - 0.032 - 24A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD20NF06L 60V

 5.4. Size:1181K  umw-ic
 std20nf06l.pdf

STD20NF06T4 STD20NF06T4

R STD20NF06LUMW60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETUMW STD20NF06LGeneral DescriptionThe STD20NF06L uses advanced trench technology anddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.It can be used in a wide variety of applications.FeaturesVDS = 60V,ID =30ARDS(ON),25m(Typ) @ VGS =10VRDS(ON),30m(Typ) @ VGS =4.5VAdvanced Trench TechnologyExcellent RD

 5.5. Size:286K  inchange semiconductor
 std20nf06l.pdf

STD20NF06T4 STD20NF06T4

isc N-Channel MOSFET Transistor STD20NF06LFEATURESDrain Current : I = 24A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 40m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top