Справочник MOSFET. STD24N06L

 

STD24N06L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STD24N06L
   Маркировка: 24N6L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
   Время нарастания (tr): 97 ns
   Выходная емкость (Cd): 258 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STD24N06L

 

 

STD24N06L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  onsemi
std24n06l std24n06lt4g.pdf

STD24N06L STD24N06L

NTD24N06L, STD24N06LPower MOSFET24 A, 60 V, Logic Level, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits. http://onsemi.comFeatures24 AMPERES, 60 VOLTS S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueRDS(on) = 0.036 W (Typ)Site and Control Change Requirements;

 9.1. Size:104K  samhop
stu2455pls std2455pls.pdf

STD24N06L STD24N06L

S TU/D2455P LSS amHop Microelectronics C orp.Dec 30, 2005P-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ESR DS (ON) ( m ) MaxVDS S ID S uper high dense cell design for low R DS (ON).R ugged and reliable.42 @ VGS =-10V-55V -24TO-252 and TO-251 Package.55 @ VGS = -4.5VDDGGSSTU SERIES STD SERIESTO-252AA(D-PAK) TO-251(l-PAK)S

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top