Справочник MOSFET. STD2NM60T4

 

STD2NM60T4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD2NM60T4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD2NM60T4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD2NM60T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  st
std2nm60t4.pdfpdf_icon

STD2NM60T4

STD2NM60STD2NM60-1N-CHANNEL 600V - 2.8 - 2A DPAK/IPAKZener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD2NM60 600V

 6.1. Size:482K  st
std2nm60-1.pdfpdf_icon

STD2NM60T4

STD2NM60STD2NM60-1N-CHANNEL 600V - 2.8 - 2A DPAK/IPAKZener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD2NM60 600V

 6.2. Size:474K  st
std2nm60.pdfpdf_icon

STD2NM60T4

STD2NM60STD2NM60-1N-CHANNEL 600V - 2.8 - 2A DPAK/IPAKZener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD2NM60 600V

 9.1. Size:407K  1
std2na60 std2na60-1 std2na60t4.pdfpdf_icon

STD2NM60T4

STD2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD2NA60 600 V

Другие MOSFET... STD2955T4G , STD2LN60K3 , STD2N105K5 , STD2N80K5 , STD2N95K5 , STD2NK70Z-1 , STD2NK70ZT4 , STD2NK90ZT4 , RU7088R , STD30N10F7 , STD30NE06LT4 , STD30NF03L-1 , STD30NF03LT4 , STD30NF04LT , STD30NF06L-1 , STD30NF06LT4 , STD30NF06T4 .

History: SL4410 | SSM3J334R | FQB47P06TMAM002 | TPD65R750C | SLH60R080SS | SSM3K320T | 2SK888

 

 
Back to Top

 


 
.