Справочник MOSFET. STD3N40K3

 

STD3N40K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD3N40K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD3N40K3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD3N40K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:973K  st
std3n40k3.pdfpdf_icon

STD3N40K3

STD3N40K3N-channel 400 V, 2.7 typ., 2 A SuperMESH3 Zener-protected Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max ID PwSTD3N40K3 400 V

 9.1. Size:172K  1
std3n25 std3n25-1 std3n25t4.pdfpdf_icon

STD3N40K3

STD3N25N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N25 250 V

 9.2. Size:333K  1
std3n30l std3n30l-1 std3n30lt4.pdfpdf_icon

STD3N40K3

 9.3. Size:172K  1
std3na50 std3na50-1 std3na50t4.pdfpdf_icon

STD3N40K3

STD3NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3NA50 500 V

Другие MOSFET... STD35NF06LT4 , STD35NF06T4 , STD35NF3LLT4 , STD35P6LLF6 , STD36NH02L , STD36P4LLF6 , STD38NH02L-1 , STD38NH02LT4 , IRF740 , STD3N80K5 , STD3NK50Z-1 , STD3NK50ZT4 , STD3NK60ZT4 , STD3NK80ZT4 , STD3NK90ZT4 , STD3NM50T4 , STD3NM60N .

History: RSD050N06 | HGI110N08A | WFP740 | F6F70HVX2 | 2N7002VAC | NDP6030PL | AOD512

 

 
Back to Top

 


 
.