Справочник MOSFET. STD3NM50T4

 

STD3NM50T4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD3NM50T4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD3NM50T4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD3NM50T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  st
std3nm50 std3nm50t4.pdfpdf_icon

STD3NM50T4

STD3NM50STD3NM50-1N-CHANNEL 550V @ Tjmax- 2.5 - 3A DPAK/IPAKZener-Protected MDmesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID(@Tjmax)STD3NM50 550V

 8.1. Size:711K  st
std3nm60t4.pdfpdf_icon

STD3NM50T4

STP4NM60STD3NM60, STD3NM60-1N-channel 600 V, 1.3 , 3 A TO-220, DPAK, IPAKZener-protected MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on)Type ID PW(@Tjmax) max31STD3NM60323 A 42 WDPAK1STD3NM60-1 650

 8.2. Size:903K  st
std3nm60n.pdfpdf_icon

STD3NM50T4

STD3NM60NN-channel 600 V, 1.6 , 3.3 A, MDmesh II Power MOSFET in DPAK packageDatasheet preliminary dataFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID@TJmax max.STD3NM60N 650 V

 8.3. Size:705K  st
std3nm60 std3nm60-1 stp4nm60.pdfpdf_icon

STD3NM50T4

STP4NM60STD3NM60, STD3NM60-1N-channel 600 V, 1.3 , 3 A TO-220, DPAK, IPAKZener-protected MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on)Type ID PW(@Tjmax) max31STD3NM60323 A 42 WDPAK1STD3NM60-1 650

Другие MOSFET... STD38NH02LT4 , STD3N40K3 , STD3N80K5 , STD3NK50Z-1 , STD3NK50ZT4 , STD3NK60ZT4 , STD3NK80ZT4 , STD3NK90ZT4 , IRFZ44 , STD3NM60N , STD3NM60T4 , STD40NF03LT4 , STD40NF3LLT4 , STD45N10F7 , STD45NF75T4 , STD46P4LLF6 , STD4N80K5 .

History: FDD86369F085 | SQJB80EP | RFM15N06L | AFN8471 | P0908AT | BL8N60-A | DMT3009LDT

 

 
Back to Top

 


 
.