STD3NM60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD3NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD3NM60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD3NM60N даташит

 ..1. Size:903K  st
 std3nm60n.pdf pdf_icon

STD3NM60N

STD3NM60N N-channel 600 V, 1.6 , 3.3 A, MDmesh II Power MOSFET in DPAK package Datasheet preliminary data Features VDSS RDS(on) Order codes ID @TJmax max. STD3NM60N 650 V

 6.1. Size:711K  st
 std3nm60t4.pdf pdf_icon

STD3NM60N

 6.2. Size:705K  st
 std3nm60 std3nm60-1 stp4nm60.pdf pdf_icon

STD3NM60N

 8.1. Size:280K  st
 std3nm50 std3nm50t4.pdf pdf_icon

STD3NM60N

STD3NM50 STD3NM50-1 N-CHANNEL 550V @ Tjmax- 2.5 - 3A DPAK/IPAK Zener-Protected MDmesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID (@Tjmax) STD3NM50 550V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STD3N40K3, STD3N80K5, STD3NK50Z-1, STD3NK50ZT4, STD3NK60ZT4, STD3NK80ZT4, STD3NK90ZT4, STD3NM50T4, IRF640, STD3NM60T4, STD40NF03LT4, STD40NF3LLT4, STD45N10F7, STD45NF75T4, STD46P4LLF6, STD4N80K5, STD4NK100Z