STD4N80K5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD4N80K5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD4N80K5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD4N80K5 даташит

 ..1. Size:1294K  st
std4n80k5 stf4n80k5 stp4n80k5 stu4n80k5.pdfpdf_icon

STD4N80K5

STD4N80K5, STF4N80K5, STP4N80K5, STU4N80K5 N-channel 800 V, 2.1 typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT 3 1 STD4N80K5 60 W 3 DPAK 2 STF4N80K5 20 W 1 800 V 2.5 3 A TO-220FP TAB STP4N80K5 60 W TAB STU4N80K5 Industry s lowest RDS(on) x area 3

 9.1. Size:169K  1
std4na40 std4na40-1 std4na40t4.pdfpdf_icon

STD4N80K5

STD4NA40 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD4NA40 400 V

 9.2. Size:142K  1
std4n25 std4n25-1 std4n25t4.pdfpdf_icon

STD4N80K5

STD4N25 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D STD4N25 250 V

 9.3. Size:610K  st
std4nk100z.pdfpdf_icon

STD4N80K5

STD4NK100Z N-channel 1000 V, 5.6 , 2.2 A SuperMESH Power MOSFET Zener-protected in DPAK package Datasheet preliminary data Features Order code VDSS RDS(on)max ID STD4NK100Z 1000 V

Другие IGBT... STD3NM50T4, STD3NM60N, STD3NM60T4, STD40NF03LT4, STD40NF3LLT4, STD45N10F7, STD45NF75T4, STD46P4LLF6, IRFB4227, STD4NK100Z, STD4NK50ZT4, STD4NK60ZT4, STD4NK80ZT4, STD4NS25T4, STD50NH02L-1, STD50NH02LT4, STD52P3LLH6