STD6NK50ZT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD6NK50ZT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD6NK50ZT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD6NK50ZT4 даташит

 ..1. Size:399K  st
std6nk50zt4 stf6nk50z.pdfpdf_icon

STD6NK50ZT4

STP6NK50Z - STF6NK50Z STD6NK50Z N-CHANNEL 500V - 0.93 - 5.6A TO-220/TO-220FP/DPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP6NK50Z 500 V

 5.1. Size:399K  st
stp6nk50z stf6nk50z std6nk50z.pdfpdf_icon

STD6NK50ZT4

STP6NK50Z - STF6NK50Z STD6NK50Z N-CHANNEL 500V - 0.93 - 5.6A TO-220/TO-220FP/DPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP6NK50Z 500 V

 9.1. Size:344K  1
std6n10 std6n10-1 std6n10t4.pdfpdf_icon

STD6NK50ZT4

STD6N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD6N10 100 V

 9.2. Size:500K  st
std6n95k5 stp6n95k5 stu6n95k5 stw6n95k5.pdfpdf_icon

STD6NK50ZT4

STD6N95K5, STP6N95K5 STU6N95K5, STW6N95K5 Datasheet N-channel 950 V, 1 typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220, IPAK and TO-247 packages Features TAB TAB Order codes VDS RDS(on) max. ID PTOT 3 1 DPAK STD6N95K5 3 TO-220 STP6N95K5 2 1 950 V 1.25 9 A 90 W TAB STU6N95K5 STW6N95K5 DPAK 950 V worldwide best RDS(on) 3 2 IPAK 1 3 Worldwide best FOM

Другие IGBT... STD60NF3LLT4, STD60NF55LT4, STD60NH03L-1, STD60NH03LT4, STD6N60M2, STD6N65M2, STD6N80K5, STD6NF10T4, NCEP15T14, STD6NM60N, STD6NM60N-1, STD70N02L, STD70N02L-1, STD70N03L, STD70N03L-1, STD70NH02LT4, STD7ANM60N