Справочник MOSFET. STD80N4F6

 

STD80N4F6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STD80N4F6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Время нарастания (tr): 7.6 ns
   Выходная емкость (Cd): 335 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STD80N4F6

 

 

STD80N4F6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1123K  st
std80n4f6.pdf

STD80N4F6
STD80N4F6

STD80N4F6Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 m typ., 80 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDTABSTD80N4F6 40 V 6 m 80 A3 Designed for automotive applications and 1AEC-Q101 qualifiedDPAK Low gate charge Very low on-resistance High avalanche ruggednessFigure 1. In

 8.1. Size:667K  st
std80n6f6.pdf

STD80N4F6
STD80N4F6

STD80N6F6Automotive-grade N-channel 60 V, 4.4 m typ., 80 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max. IDTABSTD80N6F6 60 V 5 m 80 A(1)1. Current limited by package3 Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified1 Low gate chargeDPAK Very low on-resistance Hi

 8.2. Size:1361K  st
std80n10f7 stf80n10f7 sth80n10f7-2 stp80n10f7.pdf

STD80N4F6
STD80N4F6

STD80N10F7, STF80N10F7, STH80N10F7-2, STP80N10F7N-channel 100 V, 0.008 typ., 80 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, H2PAK-2 and TO-220Datasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) 3Order codes ID PTOTTJmax max1DPAK 3STD80N10F7 0.01 70 A 85 W21TO-220FP STF80N10F7 0.01 40 A 30 W100 VTABTAB STH80N10F7-2 0.0095 80 A

 9.1. Size:123K  samhop
stu802s std802s.pdf

STD80N4F6
STD80N4F6

GreenProductSTU/D802SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.35 @ VGS=10V80V 25A TO-252 and TO-251 Package.50 @ VGS=4.5VDDDGGSSGSTU SERIES STD SERIESTO-252AA(D-PAK) TO-251(l-P

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top